Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

AS4C4M16S: 256 Mb (16 M x 16) 3.6 V 汽车温度高速 CMOS SDRAM - TFBGA-5

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3.3V; 10ns; SOJ32; 并行; 300mils

AS4C256Mx Series 4 Gb (256 Mb x 16) DDR3 1.5V 800 MHz SynchDRAM - FBGA-96 C die

64 Meg SDRAM A-die 3.3V 143 MHz 同步 DRAM - TSOP II -54

AS4C32M16SB Series 512 Mb (32 M x 16) 143 MHz CMOS Synchronous DRAM - TSOP II-54

动态随机存取存储器 DDR1, 128M, 2.5V 200MHz,4M x 32

动态随机存取存储器

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 3.3V; 12ns; BGA48

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 3.3V; 15ns; SOJ44; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP32; 并行

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 20ns; TSOP32; 并行

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3÷3.6V; 15ns; TSOP44 II; 并行

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 15ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3.3V; 20ns; SOJ28; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3.3V; 15ns; SOJ28; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 4.5÷5.5V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 3.3V; 10ns; BGA48; 并行

IC: SRAM 内存; 1Mx8bit; 3÷3.6V; 10ns; BGA48; 并行

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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