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AS4C64M16D3LB-12BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷85°C; 并行
AS4C64M8D1-5TCNTR
IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 卷
AS4C64M8D2-25BINTR
IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; -40÷95°C; 卷
AS4C16M16MSA-6BINTR
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.7V; 166MHz; 5.5ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行; 卷
AS4C16M16SA-6TCNTR
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行; 卷
AS4C256M16D4-83BIN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1.2GHz; 14.16ns; FBGA96; -40÷95°C
AS4C2M32S-6BIN
IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TFBGA90; -40÷85°C; 托盘中
AS4C2M32SA-7TCN
IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 143MHz; 5.5ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 托盘中
AS4C32M16D3L-12BCN
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS4C64M16D1A-6TINTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; TSOP66 II; -40÷95°C; 卷
AS4C64M16D3LB-12BAN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C
AS4C256M16D4-83BINTR
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1.2GHz; 14.16ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷
LRSI-18-013-A-00-20-A
AS7C1024B-12JIN
IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils
AS6C4008-70SAN
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 2.7÷5V; 70ns; SOP32; 450mils
AS7C4098A-12JCNTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 5V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils
AS7C4098A-15JIN
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ36; 并行; 400mils
AS7C4098A-20JINTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 5V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils
AS8C803625A-QC75N
IC: SRAM 内存; 256x36bit; 3÷3.6V; 75ns; TQFP100; 并行
AS7C34096B-10TINTR
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II
Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商
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