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AS6C1008-55PCN相关型号
  • AS7C34096A-15TIN

    IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 15ns; TSOP44 II; 并行

  • AS7C31026C-12TIN

    Alliance Memory SRAM 内存, 1Mbit, 44针, 表面贴装安装, 16Bit, TSOP封装

  • AS7C3256A-10TCN

    IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP28; 并行

  • AS6C4008-55PIN

    Alliance Memory SRAM, 4Mbit, 32针, 通孔安装, 8Bit, PDIP-32封装

  • PC28F512P30EFB

    IC: FLASH 内存; 32Mx16bit; BGA64; 并行

  • AS7C3256A-12JIN

    Alliance Memory SRAM存储芯片, 256Kbit, 28针, 表面贴装安装, 8Bit, SOJ封装

  • N25Q064A13ESFA0F

    IC: FLASH 内存; 64Mb; SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SO16-W; 串行

  • AS7C34096A-12JIN

    Alliance Memory SRAM存储芯片, 4Mbit, 36针, 表面贴装安装, 8Bit, SOJ封装

Alliance Memory热销型号
  • AS6C1616B-55BIN

    SRAM IC 16Mbit 1024K x 16 2.7V to 3.6V 45ns 48-Pin FBGA

  • AS6C1608B-55TINTR

    静态随机存取存储器 16Mb, LP 静态随机存取存储器, 1M x 16, 2.7 - 3.6V, 48pin TSOP I (12 x 20mm), 45ns, Industrial Temp

  • AS7C1026B-15TINTR

    静态随机存取存储器 静态随机存取存储器, 1Mb, 64K x 16, 5V, 44pin TSOP II, 15ns, Industrial Temp - Tape & Reel

  • AS6C4008-55ZINTR

    静态随机存取存储器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 关于Alliance Memory alliancememory cmos sram 的信息

  • AS6C1608B-45BIN

    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (6x8)

  • AS7C1026B-20TIN

    静态随机存取存储器 静态随机存取存储器, 1Mb, 64K x 16, 5V, 44pin TSOP II, 20ns, Industrial Temp - Tray

  • MT48LC64M8A2P-75:C

    动态随机存取存储器 512Mb, 3.3v, 133Mhz 64M x 8 SDR

  • AS4C1G8D4A-62BCN

    动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp, Rev.A - Tray 关于Alliance Memory alliance ddr3l sdram 的信息

图片仅供参考,请参考产品描述

  • AS6C1008-55PCN

  • 制造商:ALLNCMEM
  • 批号:23+
  • 描述:SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin PDIP Tube
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:286

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详细参数

  • Package TypePDIP
  • Density1048576(Bit)
  • Word Size8(b)
  • Pin Count32
  • MountingThrough Hole
  • Operating Temperature ClassificationCommercial
  • Address Bus17(b)
  • Operating Temp Range0C to 70C
  • Operating Supply Voltage (Max)5.5(V)
  • Operating Supply Voltage (Typ)3(V)
  • Operating Supply Voltage (Min)2.7(V)
  • Sync/AsyncAsynchronous
  • Rad HardenedNo
  • Number of Words128K
  • ArchitectureNot Required
  • Clock FreqNot Required(MHz)
  • Number of Ports1
  • PackagingRail/Tube
  • Access Time55
  • Supply Current60
  • Number of I/O Lines8

其它信息

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