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LZI-19-050-A-00-20-S
AS29CF160T-55TIN
AS4C512M16D3LA-10BCN
AS7C3513B-15TCNTR
IC: SRAM 内存; 32kx16bit; 3.3V; 15ns; TSOP44 II; 并行
AS7C38096B-10BINTR
IC: SRAM 内存; 1Mx8bit; 3.3V; 10ns; BGA48
AS4C128M16D3LC-12BAN
AS7C4096A-12JIN
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils
AS4C64M16D1A-6TCN
AS7C4096A-20JINTR
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 5V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils
AS4C4M32D1A-5BIN
AS7C4098A-12TCNTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 5V; 12ns; TSOP44 II; 并行
AS7C4098A-20TIN
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 4.5÷5.5V; 20ns; TSOP44 II; 并行
IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS4C32M16D3-12BINTR
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷
AS8C801801-QC150N
IC: SRAM 内存; 512x18bit; 3÷3.6V; 150ns; TQFP100; 并行
AS4C256M8D2-25BCNTR
IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷85°C; 卷
AS4C256M16D3LC-12BIN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C
AS4C256M16D3LC-10BIN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷95°C
AS4C256M16D3C-93BCN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.5V; 1066MHz; 13.09ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS4C16M32MD1-5BCNTR
IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -25÷85°C; 卷
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