Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C; 卷

IC: DRAM 内存; 128Mx32bit; 1.1÷1.8V; 1.6GHz; 625ps; -40÷105°C; 托盘中

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP28; 并行

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷95°C; 卷

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3.3V; 15ns; TSOP28; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷85°C; 卷

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 512Mx4bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 卷

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 15ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.7÷1.9V; 400MHz; 400ps; FBGA60; -40÷95°C

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3÷3.6V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3.3V; 10ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3.3V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3÷3.6V; 20ns; TSOP44 II; 并行

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TSOP44 II

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 10ns; SOJ32; 并行; 300mils

IC: DRAM 内存; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 并行

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ32; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; SOJ44; 并行; 400mils

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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