Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.1÷1.8V; 1.6GHz; 625ps; -40÷105°C; 托盘中

IC: FLASH 内存; eMMC; 32GBFLASH; FBGA153; 串行; SMD; -40÷85°C; 2.7÷3.6V

eMMC eMMC 128GB, 3V, (TLC Gen5 NAND),Industrial Temp,153ball FBGA (11.5x13mm)-Tray 关于Alliance Memory alliance asfc e mmc 的信息

Alliance Memory 2Mbit SRAM, 128K x 8, CY62256NLL-55SNXI

IC: FLASH 内存; 8Mx8bit; 75ns; BGA64; 并行

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷85°C; 卷

IC: FLASH 内存; 32Mx16bit; BGA64; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; FBGA60; -40÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷95°C

IC: FLASH 内存; 70ns; TSOP48; 并行

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷85°C; 并行

IC: FLASH 内存; 8Mx16bit; 70ns; TSOP56; 并行

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FPBGA48; 并行

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP28; 并行; 330mils

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 5V; 12ns; TSOP44 II; 并行

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 5V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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