Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: SRAM 内存; 256x36bit; 3÷3.6V; 150ns; TQFP100; 并行

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3÷3.6V; 15ns; SOJ28; 并行; 300mils

静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 20ns, FAST 256K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

静态随机存取存储器 8M, 3.3V, 10ns 1Mx8 Fast Async 静态随机存取存储器

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 3÷3.6V; 20ns; SOJ28; 并行; 300mils

静态随机存取存储器 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

静态随机存取存储器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

静态随机存取存储器 8M, 3.3V, 10ns, FAST 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

静态随机存取存储器 256K 2.5-3.6V 70ns 32Kx8 LP Async 静态随机存取存储器

静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 2.5V; 200MHz; BGA144; -40÷85°C; 并行; 托盘中

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3.3V; 12ns; SOJ36; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3.3V; 15ns; SOJ36; 并行; 400mils

SRAM - 异步存储器 IC 2Mb（256K x 8）并联 55 ns 32-TSOP I

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3.3V; 20ns; SOJ36; 并行; 400mils

SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb（64M x 16）并联 800 MHz 20 ns 96-FBGA（9x13）

IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TFBGA36

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3.3V; 12ns; TSOP44 II; 并行

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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