Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 32Mx32bit; 1.2÷1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷95°C

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.5V; 1066MHz; 13.09ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.5V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷95°C

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 128Mx32bit; 1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C

IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; FBGA90; -40÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C; 并行; 托盘中

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 2.3÷2.7V; 166MHz; 700ps; TSOP66 II; 并行

IC: FLASH 内存; 2Mx8bit; 55ns; TSOP48; 并行

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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