Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; -40÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 200MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷70°C; 并行

IC: FLASH 内存; 128Mb; SPI; 133MHz; 1.65÷1.95V; SOP8; 串行

IC: FLASH 内存; 4Mx16bit; 65ns; BGA64; 并行

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 2.6÷3.3V; 70ns; FPBGA48; 并行

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.6÷3.3V; 70ns; FPBGA48; 并行

IC: SRAM 内存; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TSOP48

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 3.3V; 133MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.7V; 166MHz; 5.5ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TFBGA90; 0÷70°C; 卷

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷85°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 1Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP50 II; 0÷70°C; 并行

IC: DRAM 内存; 512Mx4bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中

SRAM, 异步, 1 Mbit, 128K x 8位, SOP, 32 引脚, 2.7 V

DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gbit Parallel 200 MHz 5 ns 90-FBGA (8x13)

IC: FLASH 内存; eMMC; 8GBFLASH; FBGA153; 串行; SMD; -40÷85°C; 2.7÷3.6V

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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