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AS4C4M32S-7BCN
IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6.5ns; TFBGA90; 0÷70°C; 并行
AS25F1128MQ-70WIN
闪存, 串行NOR, 128 MB, 16M x 8位, QPI, SPI, WSON, 8 引脚
ASFC16G31M-51BIN
闪存, eMMC NAND, 128 Gbit, 16G x 8位, eMMC, FBGA, 153 引脚
AS7C4096A-12JIN
SRAM, 异步, 4 Mbit, 512K x 8位, SOJ, 36 引脚, 4.5 V
AS4C512M8D4-83BCN
DRAM, DDR4, 4 Gbit, 512M x 8位, 1.2 GHz, FBGA, 78 引脚
AS4C512M16D3LA-10BCN
DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16位, 933 MHz, FBGA, 96 引脚
AS4C16M16D1A-5TIN
DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16位, 200 MHz, TSOP-II, 66 引脚
AS4C16M16SA-7BCN
DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16位, 143 MHz, TFBGA, 54 引脚
ASFC8G31M-51BIN
闪存, eMMC NAND, 64 Gbit, 8G x 8位, eMMC, FBGA, 153 引脚
AS4C256M16D3C-12BIN
DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16位, 800 MHz, FBGA, 96 引脚
AS4C1G16D4-062BCN
DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16位, 1.6 GHz, FBGA, 96 引脚
AS4C32M16SB-7BIN
DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16位, 143 MHz, FBGA, 54 引脚
AS4C8M16SA-6TAN
DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16位, 166 MHz, TSOP-II, 54 引脚
AS4C64M16D1-6TCNTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; 18ns; TSOP66; 0÷70°C; 卷
AS4C16M16SA-6BIN
DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16位, 166 MHz, TFBGA, 54 引脚
ASFC32G31T3-51BIN
emmc 32GB 256Gbx1 TLC NAND 153ball FBGA
AS4C64M16D2B-25BCN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.7÷1.9V; 400MHz; 400ps; FBGA84; 0÷95°C; 并行
AS4C256M16D4A-75BCNTR
4Gb DDR4 A-Rev 2666Mbps 96-ball FBGA Extended Commercial 0C to 95C
AS4C64M32MD1-5BCN
IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; 0÷70°C; 托盘中
AS6C4016B-45ZIN
IC: SRAM 内存; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
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