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AS4C4M32S-7BCN

IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6.5ns; TFBGA90; 0÷70°C; 并行

AS25F1128MQ-70WIN

闪存, 串行NOR, 128 MB, 16M x 8位, QPI, SPI, WSON, 8 引脚

ASFC16G31M-51BIN

闪存, eMMC NAND, 128 Gbit, 16G x 8位, eMMC, FBGA, 153 引脚

AS7C4096A-12JIN

SRAM, 异步, 4 Mbit, 512K x 8位, SOJ, 36 引脚, 4.5 V

AS4C512M8D4-83BCN

DRAM, DDR4, 4 Gbit, 512M x 8位, 1.2 GHz, FBGA, 78 引脚

AS4C512M16D3LA-10BCN

DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16位, 933 MHz, FBGA, 96 引脚

AS4C16M16D1A-5TIN

DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16位, 200 MHz, TSOP-II, 66 引脚

AS4C16M16SA-7BCN

DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16位, 143 MHz, TFBGA, 54 引脚

ASFC8G31M-51BIN

闪存, eMMC NAND, 64 Gbit, 8G x 8位, eMMC, FBGA, 153 引脚

AS4C256M16D3C-12BIN

DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16位, 800 MHz, FBGA, 96 引脚

AS4C1G16D4-062BCN

DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16位, 1.6 GHz, FBGA, 96 引脚

AS4C32M16SB-7BIN

DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16位, 143 MHz, FBGA, 54 引脚

AS4C8M16SA-6TAN

DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16位, 166 MHz, TSOP-II, 54 引脚

AS4C64M16D1-6TCNTR

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; 18ns; TSOP66; 0÷70°C; 卷

AS4C16M16SA-6BIN

DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16位, 166 MHz, TFBGA, 54 引脚

ASFC32G31T3-51BIN

emmc 32GB 256Gbx1 TLC NAND 153ball FBGA

AS4C64M16D2B-25BCN

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.7÷1.9V; 400MHz; 400ps; FBGA84; 0÷95°C; 并行

AS4C256M16D4A-75BCNTR

4Gb DDR4 A-Rev 2666Mbps 96-ball FBGA Extended Commercial 0C to 95C

AS4C64M32MD1-5BCN

IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; 0÷70°C; 托盘中

AS6C4016B-45ZIN

IC: SRAM 内存; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP44 II

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