为满足对更高密度CMOS DDR4 SDRAM的不断增长的需求，Alliance Memory宣布已扩大其产品组合，增加了两款新的8Gb器件。与前一代DDR3 SDRAM相比，AS4C1G8D4和AS4C512M16D4提供了更高的性能，分别采用78焊球和96焊球FBGA封装，具有更低的功耗和更快的数据传输速率。

与DDR3 SDRAM相比，今天发布的设备将工作电压从1.65V降低到+ 1.2V（±0.06V），从而延长了智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电池寿命。为了提高5G设计，台式计算机和服务器的效率和性能，1Gb x 8位AS4C1G8D4和512M x 16位AS4C512M16D4提供多达16个存储库，并提供1333MHz的更快时钟速度，以极高的传输速率达到2666Mbps /别针。

DDR4 SDRAM通过最小的管芯收缩，为众多类似的解决方案提供了可靠的，即插即用的兼容替代品，从而消除了昂贵的重新设计和零件重新鉴定的需要。这些器件提供商业（0°C至+ 95°C）和工业（-40°C至+ 95°C）温度范围，是工业，网络，物联网，汽车，游戏和消费市场的理想选择。

AS4C1G8D4和AS4C512M16D4支持连续和交错突发类型，即时读取或写入突发长度为BL8 / BC4 / BC4或8。自动预充电功能提供了在突发序列结束时启动的自定时行预充电。易于使用的刷新功能包括自动或自刷新。该器件符合RoHS要求，不含铅（Pb）和卤素。

设备规格表：

AS4C1G8D4-75BCN 8Gb 1Gb x 8 78球FBGA 0至+95

AS4C1G8D4-75BIN 8Gb 1Gb x 8 78球FBGA -40至+95

AS4C512M16D4-75BCN 8Gb 512Mb x 16 96球FBGA 0至+95

AS4C512M16D4-75BIN 8Gb 512Mb x 16 96球FBGA -40至+95