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AS4C2M32S-7BCNTR

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 143 MHz 5.4 ns 90-TFBGA(8x13)

AS7C31026B-12JINTR

SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb(64K x 16) 并联 12 ns 44-SOJ

AS7C1026B-20TCNTR

SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb(64K x 16) 并联 20 ns 44-TSOP2

AS8C801800-QC150N

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(512K x 18) 并联 150 MHz 3.8 ns 100-TQFP(14x20)

AS7C1025B-12TJCN

SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 12 ns 32-SOJ

AS7C31025B-10JCN

SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 10 ns 32-SOJ

AS4C256M8D3LC-12BIN

SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA(7.5x10.5)

AS4C256M8D3LC-12BAN

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C

AS4C1G8D3LA-10BINTR

IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷

AS4C16M16D1A-5TCNTR

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 卷

AS29CF040-55CCIN

IC: FLASH 内存; 512kx8bit; 55ns; PLCC32; 并行

AS4C128M8D3B-12BANTR

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C; 卷

AS4C128M16D3LC-12BAN

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C

AS4C64M32MD1-5BCNTR

IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -25÷85°C; 卷

AS4C16M16D2-25BCN

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷70°C; 并行; 托盘中

AS6C6264-55SIN

Alliance Memory SRAM, 64Kbit, 28针, 表面贴装安装, 8Bit, SOP封装

Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商

深圳市芯幂科技有限公司

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