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AS7C34098A-12TIN
Alliance Memory SRAM, 4Mbit, 44针, 表面贴装安装, 16Bit, TSOP封装
AS7C4096A-12TIN
Alliance Memory SRAM, 4Mbit, 44针, 表面贴装安装, 8Bit, TSOP封装
AS7C4098A-12TIN
Alliance Memory SRAM 内存, 4Mbit, 44针, 表面贴装安装, 16Bit, TSOP封装
AS1C1M16PL-70BINTR
IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FPBGA48; 并行
AS7C316096C-10BINTR
IC: SRAM 内存; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TFBGA48
AS4C32M8D1-5TCN
IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; TSOP66 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中
AS4C32M16SB-7TCN
IC: DRAM 内存; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行
AS4C32M16D1-5BIN
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; -40÷95°C; 并行; 托盘中
AS4C2M32SA-6TIN
IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 166MHz; 5.5ns; TSOP86; -40÷85°C; 并行; 托盘中
AS4C256M16D4-75BIN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA96; -40÷95°C
AS4C1M16S-6TCN
IC: DRAM 内存; 1Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP50 II; 0÷70°C; 并行
AS4C64M16D1A-6BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.3÷2.7V; 166MHz; 0.7ns; FBGA60; -40÷85°C
AS4C64M16D3B-12BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷85°C; 并行
AS4C16M32SC-7TIN
IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; -40÷85°C
AS4C16M16SB-6TIN
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 托盘中
AS7C32096A-10TINTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; 并行
AS7C32096A-15TINTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 3.3V; 15ns; TSOP44 II; 并行
AS7C32098A-10TINTR
IC: SRAM 内存; 128kx16bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II; 并行
AS6C6264A-70SCN
IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 70ns; SOP28; 并行; 330mils
AS6C8008-55BIN
IC: SRAM 内存; 1024kx8bit; 2.7÷5.7V; 55ns; TFBGA48; 并行
Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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