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AS6C8008B-55ZIN

IC: SRAM 内存; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils

AS7C316098B-10TIN*

静态随机存取存储器 Custom 16M Fast 1024k x 16 3.3V 54pin TSOP (-40 ~ 85 C) "specially screened" at 8ns at 25 C

AS6C6416-55TINTR

静态随机存取存储器 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16

AS6C8016A-55BINTR

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TFBGA48; 并行

AS7C1024B-12JCN

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils

AS7C1024B-12TJIN

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ32; 并行; 300mils

AS7C1024B-20JCN

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 20ns; SOJ32; 并行; 400mils

AS4C8M16D1A-5TCNTR

IC: DRAM 内存; 8Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 卷

AS4C8M16SA-6BINTR

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷85°C; 卷

AS4C8M32S-7TCN

IC: DRAM 内存; 2Mx32bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 托盘中

AS5F18G04SND-10LIN

IC: FLASH 内存; 8Gb; SPI; 100MHz; 1.7÷2V; LGA8; 串行

AS6C1008-55BINTR

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36; 并行

AS6C1008-55STINLTR

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行

AS6C1616-55TINL

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48; 并行

AS6C1616B-55BIN

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48

AS6C2008-55STINTR

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; STSOP32; 并行

AS6C2008A-55STINTR

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行

AS6C3216A-55TIN

IC: SRAM 内存; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48

AS4C4M16D1A-5TAN

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷105°C; 托盘中

AS4C4M16SA-7B2CNTR

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4s; FBGA60; 0÷70°C; 卷

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