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AS4C512M16D3LB-12BIN

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C

AS7C3256A-12TCN

AS7C3256A Series 256-Kbit (32 K x 8) 3 to 3.6 V 12 ns SMT Static RAM - TSOP I-28

AS4C4M16D1A-5TANTR

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷105°C; 卷

AS7C31026B-12TCN

AS7C31026B 系列 1 Mb (64 K x 16) 3.3 V 12 ns CMOS 静态 RAM - TSOP II-44

AS7C256A-12TIN

256K Async SRAM Single 5V (32K x 8) 12ns 28-Pin TSOP

AS4C32M16D2A-25BINTR

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷95°C; 卷

AS7C1024B-12TCN

AS7C1024B 系列 1 Mb (128 K x 8) 5 V 12 ns CMOS 静态 RAM - TSOP I-32

AS6C4016-55BIN

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8)

AS4C256M8D3LC-12BANTR

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C; 卷

AS4C256M16D3LC-10BINTR

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷

AS6C1608B-45TIN

16Mb (2Mbx8) 2.7-3.6V 45ns 44-pin 400 mil TSOP-II (-40 to +85C)

AS7C4098A-12TCNTR

4MB ASYNC SRAM, 256kx8bit; 5V; 12ns; TSOP44 II

AS4C256M16MD4-062BAN

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.1÷1.8V; 1.6GHz; 625ps; -40÷105°C; 托盘中

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