AS4C256M8D3A-12BAN

SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb（256M x 8） 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA（8x10.5）

AS1C2M16P-70BIN

IC: SRAM 内存; 2Mx16bit; 2.6÷3.3V; 70ns; FPBGA48; 并行

AS4C512M8D3LA-12BCN

SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（512M x 8） 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA（9x10.5）

AS4C64M16D3A-12BIN

SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb（64M x 16） 并联 800 MHz 20 ns 96-FBGA（8x13）

AS4C512M8D3LC-12BANTR

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C; 卷

MT46V64M8CV-5B IT:J

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（32M x 16） 并联 200 MHz 700 ps 60-FBGA（8x12.5）

AS4C32M32MD1A-5BINTR

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FPBGA60; -40÷85°C; 卷

AS4C128M16D3LB-12BI

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷85°C

MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR

SDRAM 存储器 IC 64Mb（2M x 32） 并联 167 MHz 5.4 ns 86-TSOP II

AS7C4096A-20JCNTR

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（512K x 8） 并联 20 ns 36-SOJ

AS4C32M8D1-5TCNTR

IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; TSOP66 II; 0÷70°C; 卷

AS4C32M16SB-7TCNTR

IC: DRAM 内存; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行

AS4C32M16D3-12BIN

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C; 托盘中

AS4C32M16D1-5BINTR

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; -40÷95°C; 卷

AS4C2M32SA-6TINTR

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 166MHz; 5.5ns; TSOP86; -40÷85°C; 并行; 卷