Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 2.5V; 200MHz; BGA144; -40÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1.2GHz; 14.16ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 1Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP50 II; 0÷70°C; 并行; 卷

IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 3÷3.6V; 133MHz; 5.4ns; TSOP86 II; -40÷85°C

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.7V; 166MHz; 5.5ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40÷85°C; 并行; 托盘中

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; -40÷95°C; 并行

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C; 卷

SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb（2M x 32）并联 200 MHz 700 ps 144-BGA

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 并行; 600mils

SDRAM 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷95°C; 卷

SDRAM 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 143 MHz 5.4 ns 54-FBGA（8x8）

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷70°C; 并行

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb（32M x 32）并联 200 MHz 5 ns 90-FBGA（8x13）

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA78; -40÷95°C

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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