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AS4C128M16D3-12BCNTR
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 800 MHz 20 ns 96-FBGA(9x13)
AS4C4M32SA-6TINTR
IC: DRAM 内存; 1Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP86; -40÷85°C; 并行; 卷
AS4C4M32MSA-6BIN
IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 1.7V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C; 并行; 托盘中
AS4C128M8D3-12BINTR
SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA(8x10.5)
AS4C4M16SA-7BCN
IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4s; FBGA54; 0÷70°C; 托盘中
AS4C128M16D3LC-12BCN
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS4C256M8D3-12BANTR
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA(8x10.5)
AS4C32M16SM-7TCNTR
SDRAM 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
AS4C64M16D3-12BCNTR
SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 800 MHz 20 ns 96-FBGA(9x13)
AS6C1616-55BINTR
SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb(1M x 16) 并联 55 ns 48-TFBGA(6x8)
AS4C512M16D3LC-12BCN
动态随机存取存储器 DDR3L, 8G, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ COMMERCIAL TEMP (MT41K512M16HA-125:A)
AS4C2M32D1A-5BINTR
动态随机存取存储器 DDR1, 64M, 2.5V 200MHz,2M x 32
AS4C8M32S-6TINTR
动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,256M,3.3V 166Mhz,8M x 32
AS4C128M16MD2A-25BINTR
动态随机存取存储器 2G 1.2V/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp
AS7C256A-20JCNTR
IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 5V; 20ns; SOJ28; 并行; 300mils
AS7C256A-15JCN
IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ28; 并行; 300mils
MT41K512M16HA-107:ATR
动态随机存取存储器
AS7C256A-12JCN
IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ28; 并行; 300mils
AS4C256M16D3C-93BCNTR
AS7C164A-15PCN
IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; DIP28
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