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AS4C512M16D3LA-10BIN
IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷95°C
AS4C32M16D3L-12BCNTR
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷
AS4C32M16D1A-5TANTR
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷105°C; 卷
AS4C256M8D2-25BINTR
IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; -40÷95°C; 卷
AS4C256M16D3LC-12BINTR
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS4C16M32MD1-5BINTR
IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA90; -40÷85°C; 卷
AS4C128M8D3LB-12BCNTR
IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 卷
AS4C128M16MD2A-25BIN
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C; 并行
AS4C8M32MD2A-25BCNTR
IC: DRAM 内存; 8Mx32bit; 1.2÷1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -25÷85°C; 卷
AS4C64M16MD1A-5BINTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.8V; 200MHz; 15ns; FBGA60; -40÷85°C; 卷
AS4C64M16D2B-25BCNTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷85°C; 卷
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C
AS4C16M16D1A-5TCN
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中
AS4C128M8D3B-12BAN
IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷105°C
AS4C128M16D2-25BIN
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷85°C; 并行
AS1C1M16P-70BINTR
IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.6÷3.3V; 70ns; FPBGA48; 并行
AS7C316096B-10BINTR
IC: SRAM 内存; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TFBGA48
AS4C32M32MD1A-5BIN
IC: DRAM 内存; 32Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6ns; FBGA90; -40÷85°C; 并行
AS4C32M16MSA-6BINTR
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.7V; 166MHz; 5.5ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行; 卷
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