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M29F800FT55N3E2
NOR Flash 8Mbit 1024kWords/512kWords 8Bit/16Bit Parallel 5V 55ns 48-Pin TSOP Tr
AS4C32M16D3L-12BINTR
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷
AS4C256M16D4-75BCNTR
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷
AS4C256M16D3LC-10BANTR
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷105°C
AS4C128M16MD2A-25BINTR
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C; 并行; 卷
AS4C128M16D3C-93BCNTR
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.5V; 1066MHz; 13.09ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷
AS4C8M32MD2A-25BPCN
IC: DRAM 内存; 8Mx32bit; 1.2÷1.8V; 400MHz; 18ns; -25÷85°C; 托盘中
AS4C64M16MD2A-25BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.2÷1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C
AS4C128M8D3B-12BCN
IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷70°C; 并行
AS4C128M16D2A-25BCN
IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; 0÷70°C; 并行
AS29CF010-55CCIN
IC: FLASH 内存; 128kx8bit; 55ns; PLCC32; 并行
AS1C1M16PL-70BIN
IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FPBGA48; 并行
AS4C2M32SA-6TCNTR
IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 166MHz; 5.5ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 卷
AS4C2M32D1A-5BCNTR
IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 2.5V; 200MHz; BGA144; 0÷70°C; 卷
AS4C256M16D4-75BCN
IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中
AS6C1008-55STIN
IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行
AS6C1016-55BINTR
IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48; 并行
AS6C1616-55TIN
IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48; 并行
AS6C1616B-45TINTR
IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
AS6C2008-55SINTR
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 3.3V; 55ns; SOP32; 并行; 450mils
Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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