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AS6C2008A-55STIN

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行

AS6C3216A-55BINTR

IC: SRAM 内存; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48

AS4C32M8SA-7TCNTR

IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 卷

AS4C4M16SA-6BANTR

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷105°C; 卷

AS4C4M16SA-7B2CN

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4s; FBGA60; 0÷70°C; 托盘中

AS4C4M32SA-6TCN

IC: DRAM 内存; 1Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 托盘中

AS4C512M8D3B-12BIN

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.5V; 800MHz; FBGA78; -40÷85°C; 并行; 托盘中

AS4C64M16D1-6TINTR

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; 18ns; TSOP66; -40÷85°C; 卷

AS4C64M32MD1A-5BIN

IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; FBGA90; -40÷85°C; 托盘中

AS4C64M8D1-5BIN

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; FBGA60; -40÷95°C; 并行; 托盘中

AS4C64M8D2-25BCN

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷85°C; 并行; 托盘中

AS4C64M8D3L-12BCN

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中

AS4C16M16D2-25BIN

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷85°C; 并行

AS4C16M16SA-6TAN

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷105°C

AS4C16M16SA-7TCNTR

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行; 卷

AS4C16M32MSA-6BINTR

IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C; 并行

AS6C62256-55PCN

Alliance Memory SRAM, 256Kbit, 28针, 通孔安装, 8Bit, PDIP封装

AS6C6264-55PIN

Alliance Memory SRAM, 64Kbit, 28针, 通孔安装, 8Bit, PDIP-28封装

AS7C38098A-10BIN

Alliance Memory SRAM存储芯片, 8Mbit, 48针, 表面贴装安装, 16Bit, TFBGA封装

AS7C4096A-12JIN

Alliance Memory SRAM存储芯片, 4Mbit, 36针, 表面贴装安装, 8Bit, SOJ封装

Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商

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