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AS6C2008A-55STIN
IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32; 并行
AS6C3216A-55BINTR
IC: SRAM 内存; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
AS4C32M8SA-7TCNTR
IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 卷
AS4C4M16SA-6BANTR
IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷105°C; 卷
AS4C4M16SA-7B2CN
IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4s; FBGA60; 0÷70°C; 托盘中
AS4C4M32SA-6TCN
IC: DRAM 内存; 1Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 托盘中
AS4C512M8D3B-12BIN
IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.5V; 800MHz; FBGA78; -40÷85°C; 并行; 托盘中
AS4C64M16D1-6TINTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; 18ns; TSOP66; -40÷85°C; 卷
AS4C64M32MD1A-5BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.8V; 200MHz; FBGA90; -40÷85°C; 托盘中
AS4C64M8D1-5BIN
IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; FBGA60; -40÷95°C; 并行; 托盘中
AS4C64M8D2-25BCN
IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷85°C; 并行; 托盘中
AS4C64M8D3L-12BCN
IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中
AS4C16M16D2-25BIN
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷85°C; 并行
AS4C16M16SA-6TAN
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷105°C
AS4C16M16SA-7TCNTR
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行; 卷
AS4C16M32MSA-6BINTR
IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 1.8V; 166MHz; 5.5ns; FBGA90; -40÷85°C; 并行
AS6C62256-55PCN
Alliance Memory SRAM, 256Kbit, 28针, 通孔安装, 8Bit, PDIP封装
AS6C6264-55PIN
Alliance Memory SRAM, 64Kbit, 28针, 通孔安装, 8Bit, PDIP-28封装
AS7C38098A-10BIN
Alliance Memory SRAM存储芯片, 8Mbit, 48针, 表面贴装安装, 16Bit, TFBGA封装
AS7C4096A-12JIN
Alliance Memory SRAM存储芯片, 4Mbit, 36针, 表面贴装安装, 8Bit, SOJ封装
Alliance Memory的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Alliance Memory供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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