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AS4C1G8D4-75BIN

IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA78; -40÷95°C; 托盘中

AS4C64M16D1-6TIN

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 166MHz; 18ns; TSOP66; -40÷85°C; 并行; 托盘中

AS4C4M32D1A-5BCNTR

IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; BGA144; 0÷70°C; 卷

AS6C2008-55SIN

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; SOP32; 并行; 450mils

AS6C1616B-45TIN

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48

AS5F12G04SND-10LIN

IC: FLASH 内存; 2Gb; SPI; 100MHz; 1.7÷2V; LGA8; 串行

AS4C8M16SA-6TINTR

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C

AS4C8M16SA-6BANTR

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷105°C; 卷

AS7C1024C-12JIN

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils

AS7C1024B-15TJCN

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ32; 并行; 300mils

AS6CE4016B-45ZIN

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II; 400mils; 托盘中

AS6C8016B-55BIN

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48

AS6C8016-55ZIN

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II; 并行; 400mils

AS6C8008B-55BIN

IC: SRAM 内存; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48

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