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AS4C8M16MSA-6BIN

SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 54-FBGA (8x8)

AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B 系列 1 Gb (64 M x 16) 1.9 V 表面贴装 DDR DRAM - FBGA-84

AS4C4M32SA-6TCN

SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 86-TSOP II

AS4C32M16SB-7BIN

512Mb (32Mbx16) SDRAM 3.3V 143MHz 54-ball FBGA Industrial (-40 ~ 85°C)

AS4C2M32S-6BIN

AS4C2M32S 系列 64 Mb (2 M x 32) 3.6 V 同步 DRAM (SDRAM) - TFBGA-90

AS7C164A-15JIN

IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ28; 300mils

AS7C256A-10TIN

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP28; 并行

AS4C512M16D3LA-10BANTR

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷105°C

AS7C256A-12TIN

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; TSOP28; 并行

AS4C32M16D1A-5TCNTR

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 卷

AS4C256M8D2A-25BCNTR

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷85°C; 卷

AS7C256A-15TIN

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; TSOP28; 并行

AS7C256A-20TINTR

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 5V; 20ns; TSOP28; 并行

AS4C256M16D3C-10BINTR

IC: DRAM 内存; 256Mx16bit; 1.5V; 933MHz; 13.91ns; FBGA96; -40÷95°C; 卷

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