Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 0÷70°C; 卷

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷85°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; FBGA54; 0÷70°C; 托盘中

IC: FLASH 内存; 4Gb; SPI; 100MHz; 1.7÷2V; LGA8; 串行

IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; 0÷70°C; 并行

IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; BGA144; -40÷85°C; 并行; 托盘中

IC: DRAM 内存; 2Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP86; -40÷85°C; 并行; 卷

IC: DRAM 内存; 8Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 5V; 12ns; SOJ32; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP44 II; 并行; 400mils

IC: SRAM 内存; 1024kx8bit; 3V; 55ns; TFBGA48

IC: SRAM 内存; 4Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48

AS4C256M16D3B Series 4 Gb (256 M x 16) 1.5 V 800 MHz DDR3 SDRAM - FBGA-96 C REV

AS4C16M16D2 Series 256Mb (16M x 16) 1.9V DDRII Synchronous DRAM (SDRAM)-TFBGA-84

AS4C128M16D3LB Series 2 Gb (128 M x 16), 1.35 V 800 MHz DDR3 SDRAM - FBGA-9

512Mb Auto-AS4C64M8D2 - 25BAN 60 ball FBGA PACKAGE

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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