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AS4C1G8D3LA-10BCNTR
IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA78; 0÷95°C; 卷
AS4C128M8D3LB-12BINTR
IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷
AS4C128M8D2A-25BINTR
IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; -40÷95°C; 卷
AS7C31024B-15JCNTR
IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3.3V; 15ns; SOJ32; 并行; 400mils
AS6C4008-55PCN
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; DIP32; 并行; 600mils
AS6C4008-55TINTR
IC: SRAM 内存; 512kx8bit; 2.7÷5V; 55ns; TSOP32; 并行
AS6C4016-55ZINTR
IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP44 II; 并行; 400mils
AS4C64M16D3B-12BANTR
IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C; 卷
AS4C512M8D4-83BINTR
IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.2V; 1.2GHz; 14.16ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷
AS4C512M8D3LC-12BCN
IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中
AS4C16M16D1A-5TIN
IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷85°C; 并行; 托盘中
AS6C6264-55PCN
IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP28; 并行; 600mils
AS6C6264A-70PCN
IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 70ns; DIP28; 并行; 600mils
AS6CE4016B-45ZINTR
IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 2.7÷3.6V; 45s; TSOP44 II; 400mils; 卷,胶带
AS1C512K16PL-70BIN
IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FPBGA48; 并行
AS7C1024B-15TJCNTR
IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 5V; 15ns; SOJ32; 并行; 300mils
AS7C316096B-10TINTR
IC: SRAM 内存; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TSOP54 II; 400mils
AS4C32M32MD2A-25BIN
IC: DRAM 内存; 32Mx32bit; 1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C; 并行
AS4C32M16SB-7BINTR
IC: DRAM 内存; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 卷
AS4C32M16SA-7BCN
IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6ns; FBGA54; 0÷70°C; 并行
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