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AS4C16M16D1A-5TCNTR

动态随机存取存储器

AS25F1128MQ-70SIN

IC: FLASH 内存; 128Mb; SPI; 133MHz; 1.65÷1.95V; SOP8; 串行

AS1C4M16PL-70BIN

IC: SRAM 内存; 4Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FBGA47; 并行

AS4C512M16D4-75BCNTR

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA96; 0÷95°C; 卷

AS4C16M16D1-5BCNTR

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C; 卷

AS4C128M8D1-6TINTR

IC: DRAM 内存; 128Mx8bit; 2.5V; 166MHz; TSOP66 II; -40÷95°C; 卷

AS7C1024B-12JCNTR

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 5V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils

AS29CF800B-55TIN

IC: FLASH 内存; 1Mx8bit; 55ns; TSOP48; 并行

AS4C128M32MD2A-18BINTR

IC: DRAM 内存; 128Mx32bit; 1.8V; 533MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C; 并行; 卷

AS6C8016B-55ZINTR

IC: SRAM 内存; 512kx16bit; 3V; 55ns; TSOP44 II; 400mils

AS4C128M16D3LC-12BANTR

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C

AS4C128M16D2A-25BANTR

IC: DRAM 内存; 128Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C; 卷

AS4C256M16D3LC-10BINTR

动态随机存取存储器

AS4C64M32MD2A-25BINTR

IC: DRAM 内存; 64Mx32bit; 1.2÷1.8V; 400MHz; 18ns; FBGA134; -40÷85°C

AS4C64M16D3LB-12BANTR

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷105°C; 卷

AS4C64M16D2A-25BANTR

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C; 卷

AS4C512M8D3LC-12BINTR

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; -40÷95°C; 卷

AS7C31026B-12JCNTR

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 3.3V; 12ns; SOJ44; 并行; 400mils

AS6C1608-55TIN

IC: SRAM 内存; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP44 II; 400mils

AS6C1008-55TINL

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32; 并行

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