Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; -40÷85°C; 并行

动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器 - DDR3L

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 5V; 12ns; SOJ28; 并行; 300mils

动态随机存取存储器

IC: DRAM 内存; 1Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA90; -40÷85°C; 卷

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28; 并行; 300mils

动态随机存取存储器 4G 1.2V/1.8V 533MHz 128Mx32 Mobile DDR2

IC: DRAM 内存; 1Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP50 II; -40÷85°C; 并行

IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 5V; 12ns; SOJ28; 并行; 300mils

IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 16Mx32bit; 1.7÷1.95V; 200MHz; 6.5ns; FBGA90; -25÷85°C

动态随机存取存储器 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 S动态随机存取存储器

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 15ns; TSOP44 II; 并行

SRAM - 异步存储器 IC 1Mb（64K x 16）并联 10 ns 48-BGA（7x7）

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 15ns; TSOP44 II; 并行

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 143MHz; 6ns; TFBGA55; 0÷70°C; 并行

动态随机存取存储器

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 3.3V; 133MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 并行

动态随机存取存储器 64M 3.3V 200MHz 4M x 16 S动态随机存取存储器

动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,64M,3.3V 166MHz,2M x 32

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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