Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40÷85°C; 并行; 托盘中

IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; TSOP66 II; -40÷85°C; 卷

IC: SRAM 内存; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TSOP44 II

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54; -40÷85°C; 并行; 卷

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 1.35V; 800MHz; 13.75ns; FBGA96; -40÷95°C

IC: DRAM 内存; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 143MHz; 5.5ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 卷

IC: DRAM 内存; 2Mx32bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TFBGA90; -40÷85°C; 卷

动态随机存取存储器 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR

IC: DRAM 内存; 256Mx8bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA60; 0÷70°C; 并行; 托盘中

IC: DRAM 内存; 1Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP50 II; -40÷85°C; 并行

IC: DRAM 内存; 1Gx8bit; 1.35V; 933MHz; 13.91ns; FBGA78; -40÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 卷

IC: DRAM 内存; 8Mx16bit; 1.7V; 166MHz; 6ns; FBGA54; -40÷85°C; 并行; 托盘中

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 10ns; TSOP48

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 5V; 20ns; TSOP32; 并行

IC: SRAM 内存; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48; 并行

IC: SRAM 内存; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48

IC: FLASH 内存; 1Gb; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; 串行

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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