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AS6C1616-70BIN

IC: SRAM 内存; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48; 并行

AS4C4M16SA-7TCNTR

动态随机存取存储器

AS4C16M16SA-6TIN

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 并行

AS4C16M16SA-6BAN

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷105°C; 托盘中

AS7C256A-10JCNTR

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 5V; 10ns; SOJ28; 并行; 300mils

AS4C8M32S-7TCNTR

IC: DRAM 内存; 2Mx32bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP86; 0÷70°C; 并行; 卷

AS7C164-20JCNTR

IC: SRAM 内存; 8kx8bit; 5V; 20ns; SOJ28; 并行; 300mils

AS25F1128MQ-70WIN

IC: FLASH 内存; 128Mb; SPI; 133MHz; 1.65÷1.95V; WSON8; 串行

AS1C4M16PL-70BINTR

IC: SRAM 内存; 4Mx16bit; 1.7÷1.95V; 70ns; FBGA47; 并行

AS7C1026C-15JINTR

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 5V; 15ns; SOJ44; 并行; 400mils

AS4C8M16D1-5BCN

IC: DRAM 内存; 8Mx16bit; 2.5V; 200MHz; FBGA60; 0÷70°C; 并行; 托盘中

AS7C1026B-15JINTR

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 5V; 15ns; SOJ44; 并行; 400mils

AS4C16M16SA-6BANTR

IC: DRAM 内存; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54; -40÷105°C; 卷

AS4C64M8D1-5TCN

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中

AS4C8M16D1-5BCNTR

IC: DRAM 内存; 8Mx16bit; 2.5V; 200MHz; FBGA60; 0÷70°C; 卷

AS7C1026B-10TCN

IC: SRAM 内存; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II; 并行

AS4C64M4SA-6TIN

IC: DRAM 内存; 4Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 托盘中

AS4C64M8D3-12BCN

IC: DRAM 内存; 64Mx8bit; 1.5V; 800MHz; 13.75ns; FBGA78; 0÷95°C; 托盘中

AS4C32M8SA-6TIN

IC: DRAM 内存; 32Mx8bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 托盘中

AS4C64M16D1A-6TCN

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66; 0÷70°C; 并行; 托盘中

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