Alliance相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 并行; 450mils

IC: FLASH 内存; 4Gb; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; 串行

IC: DRAM 内存; 2Mx32bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TFBGA90; -40÷85°C; 卷

IC: DRAM 内存; 8Mx32bit; 1.7÷1.95V; 400MHz; 5.5ns; FBGA134; -25÷85°C

IC: DRAM 内存; 2Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行

IC: DRAM 内存; 64Mx16bit; 1.8V; 400MHz; 12.5ns; FBGA84; -40÷105°C; 托盘中

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ28; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 12ns; SOJ28; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3.3V; 10ns; SOJ32; 并行; 300mils

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 15ns; SOJ32; 并行; 300mils

IC: DRAM 内存; 512Mx8bit; 1.2V; 1.2GHz; 14.16ns; FBGA78; -40÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 512Mx16bit; 1.2V; 1333MHz; 14.25ns; FBGA96; 0÷95°C; 托盘中

IC: DRAM 内存; 4Mx32bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6.5ns; TFBGA90; -40÷85°C; 并行

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 12ns; SOJ32; 并行; 400mils

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4s; TSOP54 II; 0÷70°C; 并行; 托盘中

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2

IC: DRAM 内存; 4Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷105°C; 卷

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 15ns; SOJ32; 300mils

IC: DRAM 内存; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; -40÷85°C

IC: SRAM 内存; 128kx8bit; 3÷3.6V; 20ns; SOJ32; 并行; 300mils

Alliance Memory的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Alliance Memory供应商

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